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IXHH40N150HV	1500VMOSGatedThyristor 文件：181.79 Kbytes Page：4 Pages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXHH40N150HV	封装/外壳：TO-247-3 变式包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：SCR 1.5KV 40A TO247HV 分立半导体产品晶闸管 - SCR	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
FGL40N150	ElectricalCharacteristicsoftheIGBT GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses. TheFGL40N150Disdesignedforinductionheatingapplications. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=40A •Highi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGL40N150D	ElectricalCharacteristicsoftheIGBT GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses. TheFGL40N150Disdesignedforinductionheatingapplications. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=40A •Highi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
SGL40N150	GeneralDescription GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.TheSGL40N150isdesignedforinductionheatingapplications. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V@IC=40A •Highinputimpedance A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
SGL40N150D	GeneralDescription GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.TheSGL40N150Disdesignedforinductionheatingapplications. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V@IC=40A •Highinputimpedance	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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更新时间：2024-5-24 17:59:00

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IXDP610数字脉宽调制器（DPWM）是一个可编程CMOSLSI器件接收数字从一个微处理器的脉冲宽度数据并生成两个相辅相成的，非重叠，脉冲宽度调制直接数字控制信号开关电源的桥梁。DPWM是根据操作直接控制的微处理器和与大多数标准的接口，轻松微处理器和微型计算机巴士。IXDP610封装在18引脚超薄的DP。所产生的PWM波形IXDP610从比较的结果输出的脉冲宽度计数器在脉冲宽度存储的电话号码锁存（见下文）。一个可编程“死时间”已被纳入PWM波形。死区时间逻辑禁用在每两个输出比较器输出的过渡所需的死区时间间隔。输出级提供互补PWM输出信号的能力下沉和采购20毫安的TTL电压水平。输出禁用
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