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IXGR50N60BD1

HiPerFAST IGBT ISOPLUS247

Features • DCB Isolated mounting tab • Meets TO-247AD package Outline • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • Uninterruptible power supplies (UPS) • Switched-mode and resonant-mode power supplies • AC moto

IXYS

艾赛斯

IXGR50N60BD1

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

LITTELFUSE

力特

IXGR50N60BD1

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT with Diode

Features • International standard packages JEDEC TO-268 and PLUS247 (hole less TO-247) • High frequency IGBT and antparallel FRED in one package • New generation HDMOSTM process • High current handling capability • MOS Gate turn-on fordrive simplicity • Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) w

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT with Diode

Features • International standard packages JEDEC TO-268 and PLUS247 (hole less TO-247) • High frequency IGBT and antparallel FRED in one package • New generation HDMOSTM process • High current handling capability • MOS Gate turn-on fordrive simplicity • Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) w

IXYS

艾赛斯

IGBT with Diode

Short Circuit SOA Capability Features • International standard package JEDEC TO-264 AA, and hole-less TO-247 package for clip mounting • Guaranteed Short Circuit SOA capability • High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package • Latest generation HDMOSTM process • Low VC

IXYS

艾赛斯

IXGR50N60BD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGR50N60BD1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-7-31 18:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
25+
66880
原装正品,欢迎询价
IXYS/艾赛斯
23+
42736
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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23+
TO247
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS艾赛斯
1624+
DIP8
650
代理品牌
IXYS
23+
TO-247
67815
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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22+
ISOPLUS247?
9000
原厂渠道,现货配单
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0724+
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全新 发货1-2天
IXYS/艾赛斯
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全新原装正品支持含税
IXYS/艾赛斯
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IXYS/艾赛斯
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7000

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