型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGP15N100C

IGBTLightspeedSeries

Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •Lowswitchinglosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switch-modeandresonant-mod

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXGP15N100C

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 1000V 30A 150W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily

Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ●FastintrinsicRectifier Applications ●DC-DCconverters ●Batteryc

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:218.84 Kbytes Page:4 Pages

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:233.38 Kbytes Page:4 Pages

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:238.58 Kbytes Page:4 Pages

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO

IXGP15N100C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGP15N100C

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 Amps 1000V 3.5 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-1 17:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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TO-220
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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TO-220
8866
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终端可以免费供样,支持BOM配单!
IXYS/艾赛斯
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6000
原装正品,支持实单
IXYS
18+
TO-220
41200
原装正品,现货特价

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