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IXGP12N60C	HiPerFASTIGBT Features •VeryhighfreqencyIGBT •NewgenerationHDMOSTMprocess •InternationalstandardpackageJEDECTO-220ABandTO-263AA •Highpeakcurrenthandlingcapability Applications •PFCcircuits •ACmotorspeedcontrol •DCservo&robotdrives •Switch-modeandreson	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGP12N60C	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 24A 100W TO220 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
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IXGP12N60CD1	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 24A 100W TO220 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
12N60	12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET TheUTC12N60areN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)whichareproducedusingUTCsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thesedevicesaresuitedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.Tominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
12N60	12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET 文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
12N60	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
12N60	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：898.09 Kbytes Page：11 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
12N60	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：897.54 Kbytes Page：11 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

IXGP12N60C产品属性

类型
描述
型号
IXGP12N60C
功能描述
IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-11 18:51:00

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深圳市芯福林电子科技有限公司	IXGP12N60C	IXYS	21+	TO220AB	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳廊盛科技有限公司	IXGP12N60CD1功率三极管	IXYS/艾赛斯	2022	TO220	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
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