型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGM40N60A

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Features International standard packages 2nd generation HDMOS™ process Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C) Applications AC mo

IXYS

艾赛斯

IXGM40N60A

封装/外壳:TO-204AA,TO-3 包装:托盘 描述:IGBT MODULE 600V 75A 250W TO204 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

艾赛斯

IXGM40N60A

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Littelfuse

力特

Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability. 40N60, 40N60A

IXYS

艾赛斯

40A, 600V FIELD STOP IGBT

DESCRIPTION SGT40N60NPFDPN using Field Stop IGBT technology, offer the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application. FEATURES 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A Low conduction loss Fast switching High input impedance

SILAN

士兰微

IGBT

文件:247.74 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Super Junction FREDFET

文件:191.93 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

Super Junction FREDFET

文件:317.04 Kbytes Page:5 Pages

Microsemi

美高森美

IXGM40N60A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGM40N60A

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 40 Amps 600V 3V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 11:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
20+
TO-3
35830
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS/艾赛斯
23+
MODULE
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
模块
595
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!
IXYS
21+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXYS
2025+
TO204AE
3570
全新原厂原装产品、公司现货销售
IXYS
22+
TO204
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
专业铁帽
TO-3
26
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
IXYS
24+
141

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