IXGK64N60B3D1价格

参考价格:¥41.0395

型号:IXGK64N60B3D1 品牌:Ixys 备注:这里有IXGK64N60B3D1多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGK64N60B3D1批发/采购报价,IXGK64N60B3D1行情走势销售排行榜,IXGK64N60B3D1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGK64N60B3D1

GenX3600VIGBTwithDiode

MediumspeedlowVsatPT IGBTs5-40kHzswitching Features •Optimizedforlowconductionand switchinglosses •SquareRBSOA •Anti-parallelultrafastdiode •Internationalstandardpackages Advantages •Highpowerdensity •Lowgatedriverequirement Applications •PowerInverter

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGK64N60B3D1

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGK64N60B3D1

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:IGBT 600V 460W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

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GenX3600VIGBTwithDiode

MediumspeedlowVsatPT IGBTs5-40kHzswitching Features •Optimizedforlowconductionand switchinglosses •SquareRBSOA •Anti-parallelultrafastdiode •Internationalstandardpackages Advantages •Highpowerdensity •Lowgatedriverequirement Applications •PowerInverter

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600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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IXYS

IXGK64N60B3D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGK64N60B3D1

  • 功能描述

    IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-5-16 15:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264
6000
原装正品,支持实单
IXYS
1134+
TO-3PL
1992
只做原装正品
IXYS
22+
TO264 (IXGK)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-264
2368
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IXYS
24+
TO-264-3,TO-264AA
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
22+
TO-264
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS/艾赛斯
15+
TO-264
2000
原装优质现货订货渠道商
IXYS/艾赛斯
21+ROHS
TO-264
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
23+
NA/
5242
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS/艾赛斯
22+
TO-264
360000
进口原装房间现货实库实数

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