型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGK50N60B2D1

HiPerFASTIGBTwithDiode

B2-ClassHighSpeedIGBTs Features •HighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-modeandresonant-mod

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGK50N60B2D1

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 400W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

B2-ClassHighSpeedIGBTs(ElectricallyIsolatedBackSurface)

Features •DCBIsolatedmountingtab •MeetsTO-247ADpackageOutline •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-modepowersupplies •ACmoto

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HiPerFASTIGBTwithDiode

B2-ClassHighSpeedIGBTs Features •HighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-modeandresonant-mod

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IXYS Integrated Circuits Division

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IXGK50N60B2D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGK50N60B2D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.3 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-27 11:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-3PL
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS/艾赛斯
2122+
TO-3PL
9890
全新原装进口,优势渠道,价格美丽,可出样品来电咨询
IXYS
23+
TO-264
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
IXYS
23+
TO-3PL
553
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
IXYS/艾赛斯
22+
TO-3PL
6500
只做原装正品.或订货假一赔十!
IXYS
2019+
TO-264(IXGK)
65500
原装正品货到付款,价格优势!
IXYS/艾赛斯
23+
NA/
3821
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS
21+
TO264 (IXGK)
13880
公司只售原装,支持实单
IXYS
22+
TO264 (IXGK)
9000
原厂渠道,现货配单

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