型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGK120N60B

HiPerFAST IGBT

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IXYS

艾赛斯

IXGK120N60B

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:IGBT 600V 200A 660W TO264AA 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

GenX3 600V IGBTs

OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBTs

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IXYS

艾赛斯

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

文件:839.36 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

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Infineon

英飞凌

Increased current capability

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Infineon

英飞凌

very tight parameter distribution

文件:2.26713 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM

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IXYS

艾赛斯

IXGK120N60B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGK120N60B

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 76 Amps 600V 2.1 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-16 16:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
TO-3PL
67810
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS/艾赛斯
24+
TO3PL
39197
郑重承诺只做原装进口现货
IXYS
22+
TO264 (IXGK)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
23+
TO-3PL
5000
原装正品,假一罚十
IXYS
24+
TO-264
8866
IXYS
05+
TO-264
115
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS/艾赛斯
22+
TO-264
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
3365
原装现货,当天可交货,原型号开票
原装
1923+
TO3PL
8900
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询
IXYS
23+
TO-264
50000
全新原装正品现货,支持订货

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