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IXGH60N30C3

GenX3 300V IGBT

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IXYS

IXGH60N30C3

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 300V 75A 300W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXGH60N30C3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH60N30C3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 60 Amps 300V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 9:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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只做原装进口现货,专注配单
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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7000
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TO247
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原装现货假一罚十

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