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IXGH38N60U1

Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode

Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • IGBT and anti-parallel FRED in one package • 2nd generation HDMOSTM process • Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

IXYS

艾赛斯

IXGH38N60U1

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 76A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGH38N60U1

Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode

Littelfuse

力特

IXGH38N60U1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH38N60U1

  • 功能描述

    MOSFET 38 Amps 600V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-4 10:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYSCORPORAT
05+
原厂原装
4286
只做全新原装真实现货供应
IXYS
22+
TO247AD (IXGH)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
23+24
TO-3P
9860
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税
IXYS
25+
TO-247-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
21+
TO247
10000
原装现货假一罚十
24+
8866
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS/艾赛斯
23+
TO-251
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
24+
TO-251
12
只做原厂渠道 可追溯货源
IXYS/艾赛斯
23+
TO-251
89630
当天发货全新原装现货

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