您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第6749页 > IXGH38N60

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGH38N60

Ultra-LowVCE(sat)IGBT

文件：45.63 Kbytes Page：2 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH38N60

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 76A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH38N60U1

Ultra-LowVCE(sat)IGBTwithDiode

Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD •IGBTandanti-parallelFREDinone package •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconduction losses •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH38N60U1

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 76A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IRFPS38N60L

LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements

FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •ComplianttoRoHSDirec

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
IRFPS38N60L

SMPSMOSFET

FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGatevoltagethresholdoffersimprovednoiseimmunity Applications

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
DAM38N60D

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件：251.17 Kbytes Page：4 Pages

DACO

DACO

DACO
HMS38N60T

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET

文件：600.95 Kbytes Page：6 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI
IRFPS38N60LPBF

HEXFETPowerMOSFET

文件：200.08 Kbytes Page：9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IXGH38N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH38N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGBT 600V TO-247AD

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IXGH38N60供应商更多...

更新时间：2024-6-4 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
IXGH38N60U1
IXYS/艾赛斯
21+ROHS
TO-251
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
深圳市坤融电子科技有限公司
IXGH38N60U1
IXYS/艾赛斯
2024+实力库存
TO-251
12
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
深圳市兴灿科技有限公司
IXGH38N60
IXYS
23+
TO-247
568
询价
深圳市星佑电子有限公司
IXGH38N60U1
IXYSCORPORAT
05+
原厂原装
4286
只做全新原装真实现货供应
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
IXGH38N60U1
IXYS/艾赛斯
2048+
TO-3P
9851
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
深圳市柯尔基电子有限公司
IXGH38N60U1
IXYS
23+24
TO-3P
9860
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
IXGH38N60
IXYS
22+
TO247AD (IXGH)
9000
原厂渠道,现货配单
询价
深圳市芯福林电子科技有限公司
IXGH38N60
IXYS
21+
TO247AD (IXGH)
13880
公司只售原装,支持实单
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
IXGH38N60
IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原装 正品 随时可以发货
询价
深圳市国宇半导体科技有限公司
IXGH38N60
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247AD
10000
公司只做原装正品
询价

IXGH38N60芯片相关品牌

  • ASM-SENSOR
  • Central
  • GENESIC
  • Intersil
  • IRCTT
  • KSS
  • Marktech
  • PROTEC
  • RFMD
  • SOURCE
  • TAIYO-YUDEN
  • WEITRON

IXGH38N60规格书下载地址

IXGH38N60参数引脚图相关

IXGH38N60数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示