型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGH30N60B2

HiPerFAST IGBT

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features Medium frequency IGBT Square RBSOA High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

IXGH30N60B2

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 70A 190W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGH30N60B2

PT 中频 IGBT

Littelfuse

力特

HiPerFAST IGBT

HiPerFAST™ IGBT Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features ● Medium frequency IGBT ● Square RBSOA ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ● PFC circuits ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switch

IXYS

艾赛斯

PT 中频 IGBT

Littelfuse

力特

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 70A 190W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features Medium frequency IGBT Square RBSOA High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching

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IXYS

艾赛斯

IXGH30N60B2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH30N60B2

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 Amps 600V 1.8 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
3341
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS
24+
TO-247
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IXYS/艾赛斯
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IXYS/艾赛斯
24+
TO-252
40
只做原厂渠道 可追溯货源
IXYS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
IXYS
24+
TO-247
8866
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
6000
原装正品,支持实单
IXYS
23+
TO247
7000
IXYS
11+
TO-247
10750
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS
23+
TO-247
10750
全新原装正品现货,支持订货

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