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IXGH30N120C3H1价格
参考价格:¥34.9272
型号:IXGH30N120C3H1 品牌:IXYS 备注:这里有IXGH30N120C3H1多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGH30N120C3H1批发/采购报价,IXGH30N120C3H1行情走势销售排行榜,IXGH30N120C3H1报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXGH30N120C3H1 | GenX31200VIGBT HighspeedPTIGBTsfor10-50kHzSwitching VCES=1200V IC100=24A VCE(sat)≤4.2V tfi(typ)=42ns Features OptimizedforLowConductionandSwitchingLosses SquareRBSOA Anti-ParallelUltraFastDiode AvalancheRated InternationalStandardPackage Applicat | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | ||
IXGH30N120C3H1 | 封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 48A 250W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |
IXGH30N120C3H1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGH30N120C3H1
- 功能描述
IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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N/A |
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正品授权货源可靠 |
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IXGH30N120C3H1规格书下载地址
IXGH30N120C3H1参数引脚图相关
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IXFN300N10P
进口代理
2022-12-7IXFT60N60X3HV
IXFT60N60X3HV
2022-8-11IXFP22N65X2M
原装正品现货
2022-7-19IXGH60N60C3D1
IXGH60N60C3D1,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-2IXOLAR?高效25%SolarMD模块SM111K04L
IXYS/Littelfuse的SolarMD模块非常适合为许多类型的电池供电或绿色电力产品充电
2019-9-17IXOLAR?高效25%SolarBIT太阳能电池KXOB25-12X1F
IXYS/Littelfuse的SolarBIT非常适合为许多类型的电池供电的电网产品充电
2019-9-17
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