IXGH30N120C3价格

参考价格:¥34.9272

型号:IXGH30N120C3H1 品牌:IXYS 备注:这里有IXGH30N120C3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGH30N120C3批发/采购报价,IXGH30N120C3行情走势销售排行榜,IXGH30N120C3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

GenX3 1200V IGBT

High speed PT IGBTs for 10-50kHz Switching VCES = 1200V IC100 = 24A VCE(sat) ≤ 4.2V tfi(typ) = 42ns Features Optimized for Low Conduction and Switching Losses Square RBSOA Anti-Parallel Ultra Fast Diode Avalanche Rated International Standard Package Applicat

IXYS

艾赛斯

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 48A 250W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

PT 高频 IGBT

Littelfuse

力特

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching VCES = 1200V IC110 = 30A VCE(sat)  3.3V tfi(typ) = 88ns Features High Voltage Package Optimized for Low Switching Losses Square RBSOA Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) Avalanche Rated International Standard Pack

IXYS

艾赛斯

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching VCES = 1200V IC110 = 30A VCE(sat)  3.3V tfi(typ) = 88ns Features High Voltage Package Optimized for Low Switching Losses Square RBSOA Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) Avalanche Rated International Standard Pack

IXYS

艾赛斯

IXGH30N120C3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH30N120C3

  • 功能描述

    IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-11-4 20:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS/艾赛斯
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NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS
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郑重承诺只做原装进口现货
IXYS/艾赛斯
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
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TO247AD (IXGH)
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原厂渠道,现货配单
IXYS
24+
TO-247AD-3
8866

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