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IXGH20N160

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGH20N160

IGBT 600V 40A TO247AD

Littelfuse

力特

High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor N-Channel, Enhancement Mode Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • High Voltage BIMOSFETTM - replaces high voltage Darlingtons and series connected MOSFETs - lower effective RDS(on) • Monolithic construction

IXYS

艾赛斯

IXGH20N160产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH20N160

  • 功能描述

    IGBT 40A 600V TO-247AD

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-3 17:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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