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IXGH20N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

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IXYS

艾赛斯

IXGH20N120BD1

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 40A 190W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

High Voltage IGBT with Diode

Features ● International standard package ● IGBT and anti-parallel FRED for resonant power supplies - Induction heating - Rice cookers ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low IRM Advantages ● Saves space (two

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IXGH20N120BD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH20N120BD1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 20 Amps 1200V 3.40 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-6 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
3659
原装现货,当天可交货,原型号开票
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25+
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原厂直接发货进口原装
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原装正品,假一罚十

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