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IXGH10N60AU1

Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs

Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • IGBT and anti-parallel FRED in one package • 2nd generation HDMOSTM process • Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Fast Recovery Epitaxial Diode FRED) - soft r

IXYS

艾赛斯

IXGH10N60AU1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH10N60AU1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 G-series A,B,C

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-18 17:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
TO-247
990000
明嘉莱只做原装正品现货
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
21+
TO247
10000
原装现货假一罚十
IXYS
25+
TO
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
23+
TO-247
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO-247
7000
IXYS/艾赛斯
22+
TO
6000
十年配单,只做原装
IXYS/艾赛斯
24+
TO247
60000
IXYS/艾赛斯
23+
TO247
50000
全新原装正品现货,支持订货

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