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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXGC12N60C | 封装/外壳：ISOPLUS220™ 包装：管件 描述：IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXGC12N60C | IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220 | Littelfuse 力特 | | |
IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220 | Littelfuse 力特 | | ||
封装/外壳：ISOPLUS220™ 包装：管件 描述：IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | ||
12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET The UTC 12N60are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced using UTCs proprietary, planar stripe, DMOS technology. These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance, provide superior switching p | UTC 友顺 | | ||
12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages | UTC 友顺 | | ||
12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：898.09 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：897.54 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | |
IXGC12N60C产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGC12N60C
- 功能描述
IGBT 晶体管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS220? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
25+ |
ISOPLUS220? |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-220 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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IXGC12N60C规格书下载地址
IXGC12N60C参数引脚图相关
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IXGC12N60C数据表相关新闻
IXFN300N10P
进口代理
2022-12-7IXFT60N60X3HV
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2022-7-19IXGH60N60C3D1
IXGH60N60C3D1，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-9-17
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