IXGB200N60B3价格

参考价格:¥101.5799

型号:IXGB200N60B3 品牌:Ixys 备注:这里有IXGB200N60B3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGB200N60B3批发/采购报价,IXGB200N60B3行情走势销售排行榜,IXGB200N60B3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGB200N60B3

GenX3 600V IGBT

OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil

IXYS

艾赛斯

IXGB200N60B3

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

文件:839.36 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGB200N60B3

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 1250W PLUS264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGB200N60B3

PT 中频 IGBT

Littelfuse

力特

GenX3 600V IGBT

OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil

IXYS

艾赛斯

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

文件:839.36 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

文件:839.36 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGB200N60B3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGB200N60B3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 GenX3 600V IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-17 9:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
22+
PLUS264?
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-TO-220
12300
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
25+
TO-264-3 TO-264AA
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
25+
TO-264
326
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

IXGB200N60B3数据表相关新闻