型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGA7N60BD1

HiPerFAST IGBT with Diode

Features • International standard packages JEDEC TO-263 surface mountable and JEDEC TO-220 AB • High current handling capability • HiPerFASTTM HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • Uninterruptible power supplies (UPS) • Switched-mode and resonant-m

IXYS

艾赛斯

IXGA7N60BD1

HiPerFAST IGBT with Diode

文件:84.46 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGA7N60BD1

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 600V 14A 80W TO263 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGA7N60BD1

PT IGBTs

Littelfuse

力特

HiPerFAST IGBT with Diode

Features • International standard packages JEDEC TO-263 surface mountable and JEDEC TO-220 AB • High current handling capability • HiPerFASTTM HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • Uninterruptible power supplies (UPS) • Switched-mode and resonant-m

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT with Diode

文件:84.46 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT with Diode

文件:84.46 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGA7N60BD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGA7N60BD1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-27 11:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
23+
IGBTTO-263ROHS
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
25+
IGBTTO-263ROHS
880000
明嘉莱只做原装正品现货
IXYS
23+
TO-263
67784
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
JINGDAO/晶导微
23+
GBJ
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
IXYS
23+
TO-263
8000
只做原装现货
IXYS
24+
TO-263(D2PAK)
8866
IXYS/艾赛斯
17+
TO-263(D2PAK)
31518
原装正品 可含税交易
IXYS
IGBTTO-26
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IXYS
23+
TO-263
7000

IXGA7N60BD1数据表相关新闻