位置：首页 > IC中文资料第4081页 > IXFV96N20P
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXFV96N20P | PolarHT HiPerFET Power MOSFET 文件：231.22 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 96A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 96A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · High Voltage Power Supplies | ISC 无锡固电 | | ||
PolarHT HiPerFET Power MOSFET 文件：231.22 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
PolarHT HiPerFET Power MOSFET 文件：231.22 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXFV96N20P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFV96N20P
- 功能描述
MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Ohm Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
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N/A |
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IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS/艾赛斯 |
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只做原装进口现货,专注配单 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-TO-220 |
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IXYS |
22+ |
TO2203 Short Tab |
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原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
23+ |
TO-220-3 |
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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IXYS |
25+ |
TO-TO-220 |
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2022-7-19IXGH60N60C3D1
IXGH60N60C3D1，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-9-17
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