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位置：首页 > IC中文资料第6542页 > IXFV12N120P

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFV12N120P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

Polar™PowerMOSFETHiPerFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomou

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFV12N120PS

PolarPowerMOSFETHiPerFET

Polar™PowerMOSFETHiPerFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomou

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFH12N120

HighVoltageHiPerFETPowerMOSFET

Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •Motorcontrols •UninterruptiblePowerSupplies(UPS) •DCchoppers Advan

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFH12N120

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFH12N120P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFH12N120P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

Polar™PowerMOSFETHiPerFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomou

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXFV12N120P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFV12N120P

  • 功能描述

    MOSFET 12 Amps 1200V 1 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IXFV12N120P供应商更多...

更新时间：2024-6-6 16:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
IXFV12N120P
IXYS
23+
PLUSTO-220
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
询价
易创佳业科技（深圳）有限公司
IXFV12N120P
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS220
6000
原装正品，支持实单
询价
深圳市惊羽科技有限公司
IXFV12N120P
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
深圳市星辰微电科技有限公司
IXFV12N120P
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
询价
深圳市芯福林电子科技有限公司
IXFV12N120P
IXYS
21+
TO2203 Short Tab
13880
公司只售原装,支持实单
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
IXFV12N120P
IXYS
22+
TO2203 Short Tab
9000
原厂渠道,现货配单
询价
深圳市创新迹电子有限公司
IXFV12N120P
IXYS/艾赛斯
22+
PLUS220
25000
只做原装进口现货,专注配单
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深圳市华来深电子有限公司
IXFV12N120P
IXYS
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
深圳市国宇半导体科技有限公司
IXFV12N120P
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS220
10000
公司只做原装正品
询价
中科航电(深圳)半导体技术有限公司
IXFV12N80PS
IXYS
2019+
PLUS-220SMD
65500
原装正品货到付款,价格优势!
询价

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