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IXFR24N100Q3

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier

文件:148.62 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

Advance Technical Information

HiperFET Power MOSFETs Q3-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • Low Intrinsic Gate Resistance • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) and QG Advantages • High Power Density • Easy to Mount • Space Savings Applica

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.44Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

Advance Technical Information

HiperFET Power MOSFETs Q3-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • Low Intrinsic Gate Resistance • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) and QG Advantages • High Power Density • Easy to Mount • Space Savings Applica

IXYS

艾赛斯

IXFR24N100Q3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFR24N100Q3

  • 功能描述

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-19 12:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
TO247
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
-
23+
NA
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
22+
TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
24+
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3000
进口原装正品优势供应
IXYS
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
IXYS
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
DISCRETE
30
IXS
240
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247I
52388
原装正品 华强现货
IXYS
25+
ISOPLUS247
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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