IXFN140N30P价格

参考价格:¥101.9648

型号:IXFN140N30P 品牌:IXYS 备注:这里有IXFN140N30P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXFN140N30P批发/采购报价,IXFN140N30P行情走势销售排行榜,IXFN140N30P报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFN140N30P

Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXYS

艾赛斯

IXFN140N30P

N通道HiPerFET MOSFET

Littelfuse

力特

N-Channel Power MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 140A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 34mΩ(max)@VGS= 10V ·Fast-recovery body diode APPLICATIONS ·DC-DC coverters ·AC and DC motor control ·Battery chargers ·Uninterrupted power supplies

ISC

无锡固电

Polar Power MOSFET HiPerFET

Polar™ Power MOSFET HiPerFET™ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrisic Diode Features • Fast intrinsic diode • Avalanche Rated • Low RDS(ON) and QG • Low package inductance Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density Applications • DC-DC coverters

IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:277.25 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:128.539 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN140N30P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFN140N30P

  • 功能描述

    MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 7:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
IXYS
22+
SOT227
8000
原装正品支持实单
Littelfuse/IXYS
24+
SOT-227
7800
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
IXYS
23+
模块
5000
原装正品,假一罚十
IXYS
24+
NA
3531
进口原装正品优势供应
IXYS
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
IXYS
23+
MODULE
64201
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS
24+
模块
6430
原装现货/欢迎来电咨询
IXYS
19+/20+
SOT-227B
146
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXYS
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保

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