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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXFK38N80Q2 | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Low intrinsic Rg , low trr Features • Double metal process for low gate resistance • International standard packages • Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification • Avalanche energy and current rated • Fast | IXYS 艾赛斯 |   | |
HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class 文件：141.36 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Low intrinsic Rg , low trr Features • Double metal process for low gate resistance • International standard packages • Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification • Avalanche energy and current rated • Fast | IXYS 艾赛斯 | | ||
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HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class 文件：141.36 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXFK38N80Q2产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFK38N80Q2
- 功能描述
MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
最新 |
2000 |
原装正品现货 |
|||||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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IXYS |
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7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS/艾赛斯 |
21+ |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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保证进口原装可开17%增值税发票 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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