IXFK180N10价格

参考价格:¥69.7744

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFK180N10

Single MOSFET Die

VDSS = 100V ID25 = 180A RDS(on) ≤ 8mΩ Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features International Standard Packages High Current Handling Capability Avalanche Rated Low RDS(on) HDMOSTM Process Fast intrinsic diode

IXYS

艾赛斯

IXFK180N10

N通道HiPerFET MOSFET

Littelfuse

力特

HiperFET Power MOSFETs

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IXYS

艾赛斯

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr

Infineon

英飞凌

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半导体

Superior Avalanche Rugged Technology

文件:989.45 Kbytes Page:9 Pages

SEMIHOW

IXFK180N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFK180N10

  • 功能描述

    MOSFET 100V 180A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-4 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IXYS
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长期供应原装现货实单可谈
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