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HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die Features • International standard packages • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • Fast intrinsic rectifier Ap

IXYS

艾赛斯

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

Littelfuse

力特

IXFK180N08产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFK180N08

  • 功能描述

    MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-3 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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