型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFH66N20Q

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 66A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 40mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

IXFH66N20Q

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

文件:157.19 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXYS

艾赛斯

IXFH66N20Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFH66N20Q

  • 功能描述

    MOSFET 66 Amps 200V 0.04 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IXYS/艾赛斯
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IXYS/艾赛斯
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原装正品 华强现货

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