位置：首页 > IC中文资料第383页 > IXFH23N60Q
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFH23N60Q | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.32Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- | ISC 无锡固电 |   | |
IXFH23N60Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class 文件：580.04 Kbytes Page：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | | |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：585.96 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：585.01 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：592.4 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.14 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：576.1 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 | |
IXFH23N60Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFH23N60Q
- 功能描述
MOSFET 23 Amps 600V 0.32 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-247 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
5540 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
24+ |
8866 |
||||||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO-247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
1329+ |
TO-247 |
500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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进口代理
2022-9-1IXFH34N65X2深圳市光华微科技有限公司18138231376
代理渠道供应全新原装IXFH34N65X2-IXYS场效应管
2020-4-17IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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