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IXFH22N60X2A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 145mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

IXFH22N60X2A

Power MOSFET

文件:244.12 Kbytes Page:7 Pages

IXYS

更新时间:2025-8-12 23:01:00
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IXYS/艾赛斯
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