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IXFH22N55

HiPerFET Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avlanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard packages JEDEC TO-247 AD • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance (

IXYS

艾赛斯

IXFH22N55

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 550V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.27Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

IXFH22N55产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFH22N55

  • 功能描述

    MOSFET 550V 22A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 16:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
17+
TO-3P
6200
IXYS
24+
TO-247
8866
IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS/艾赛斯
2447
TO-3P
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
IXYS
23+
TO-247
7000
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS/艾赛斯
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
IXYS艾赛斯
1626+
TO-247
1652
代理品牌
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货

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