IXFH120N20P价格

参考价格:¥33.4719

型号:IXFH120N20P 品牌:Ixys 备注:这里有IXFH120N20P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXFH120N20P批发/采购报价,IXFH120N20P行情走势销售排行榜,IXFH120N20P报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFH120N20P

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Packages • Avalanche Rated • Fast Intrinsic Diode • Low QG • Low RDS(on) • Low Drain-to-Tab Capacitance • Low Package Inductance Advantages • Easy to Mount • Space Savings

IXYS

艾赛斯

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:135.75 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs

Single MOSFET Die Features • International standard packages • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • Fast intrinsic rectifier Applicatio

IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.17 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.17 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.30327 Mbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

IXFH120N20P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFH120N20P

  • 功能描述

    MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
3290
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS
24+
TO-247
8866
IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS
23+
TO247
7000
IXYS/艾赛斯
2447
TO247
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
IXYS
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
IXYS/Littelfuse
23+
TO-247
15800
全新原装正品现货直销
24+
N/A
72000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货

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