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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

HiPerFETPowerMOSFETs

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IXYS

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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更新时间:2024-10-31 23:36:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-263(D2Pak)
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
IXYS/艾赛斯
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TO-263
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IXYS/艾赛斯
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IXYS/艾赛斯
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Littelfuse/IXYS
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IXYS/艾赛斯
2022
TO-263
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