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IXER35N120D1

NPT3 IGBT with Diode

Features • NPT3 IGBT - low saturation voltage - positive temperature coefficient for easy paralleling - fast switching - short tail current for optimized performance in resonant circuits • HiPerFREDTM diode - fast reverse recovery - low operating forward vol

IXYS

IXER35N120D1

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 50A 200W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

NPT3 IGBT with Diode in ISOPLUS247

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IXYS

IXER35N120D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXER35N120D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V 50A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-9 20:00:00
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