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IXEH25N120

NPT3IGBT

Features •NPT3IGBT -positivetemperaturecoefficientof saturationvoltageforeasyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits •optionalHiPerFRED™diode -fastreverserecovery -lowoperatingforward

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXEH25N120

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 36A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 36A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

LowVCE(sat)HighspeedIGBT

LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DC

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

Extremelyenhancedavalanchecapability

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK

IGBT

GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheAN seriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS).

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

文件:769.42 Kbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

1200V,25ANPTTrenchIGBT

文件:1.38861 Mbytes Page:9 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

IXEH25N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXEH25N120

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 25 Amps 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-21 17:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
IXYS
22+
TO247AD
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
2023+
TO-247
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原装 正品 随时可以发货
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-247-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IXYS
08+(pbfree)
TO-247
8866
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
6000
原装正品,支持实单
IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS
24+
TO-247
12300
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原装正品企业

IXEH25N120芯片相关品牌

  • AAC
  • AITSEMI
  • Atmel
  • BITECH
  • DBLECTRO
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