IXBH9N160G价格

参考价格:¥24.3640

型号:IXBH9N160G 品牌:IXYS 备注:这里有IXBH9N160G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXBH9N160G批发/采购报价,IXBH9N160G行情走势销售排行榜,IXBH9N160G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXBH9N160G

HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor N-Channel,EnhancementModeMOSFETcompatible Features •HighVoltageBIMOSFETTM -replaceshighvoltageDarlingtonsandseriesconnectedMOSFETs -lowereffectiveRDS(on) •MOSGateturn-on -drivesimplicity -MOSFETcom

IXYS

IXYS Corporation

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IXBH9N160G

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1600V 9A 100W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

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HighVoltageBIMOSFET

HighVoltageBIMOSFET™inHighVoltageISOPLUSi4-PAC™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETswithsignificantlylowervoltagedrop -fastswitchingforhighfrequencyoperation -reverseconductioncapability •

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IXYS Corporation

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MonolithicBipolarMOSTransistor

HighVoltageBIMOSFET™inHighVoltageISOPLUSi4-PAC™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETswithsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhigh

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IXBH9N160G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXBH9N160G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 9 Amps 1600V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-2 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Littelfuse/IXYS
24+
TO-247
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
3260
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IXYS
11+
TO247
1
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
25+23+
TO-247
18635
绝对原装正品全新进口深圳现货
IXYS
25+
TO-3
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售
IXYS/艾赛斯
24+
TO-247
4800
只做原厂渠道 可追溯货源
LITTELFUSE/力特
2450+
TO-247
6540
只做原厂原装现货或订货假一赔十!
IXYS/艾赛斯
23+
NA
6768
有挂有货原装正品现货,假一赔十

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