位置：首页 > IC中文资料第6609页 > IXBH9N140G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXBH9N140G | HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor N-Channel,EnhancementModeMOSFETcompatible Features •HighVoltageBIMOSFETTM -replaceshighvoltageDarlingtonsandseriesconnectedMOSFETs -lowereffectiveRDS(on) •MOSGateturn-on -drivesimplicity -MOSFETcom | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   |
HighVoltageBIMOSFET HighVoltageBIMOSFET™inHighVoltageISOPLUSi4-PAC™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETswithsignificantlylowervoltagedrop -fastswitchingforhighfrequencyoperation -reverseconductioncapability • | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
IXBH9N140G产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBH9N140G
- 制造商
IXYS
- 制造商全称
IXYS Corporation
- 功能描述
High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-3 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
IXYS |
22+ |
TO247AD (IXBH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
17+ |
原厂封装 |
1000 |
九年诚信经营只售原装正品 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2046+ |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
||||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
IXYS |
2020+ |
原厂封装 |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
NA |
21500 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-3P |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
IXYS |
18+ |
TO-247 |
2050 |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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2020-4-10
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