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IXBH10N300HV

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXYS

艾赛斯

IXBH10N300HV

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 3000V 20A 140W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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艾赛斯

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXYS

艾赛斯

High Voltage, High Frequency, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

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艾赛斯

Advance Technical Information

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更新时间:2025-8-18 10:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
18+
TO-247
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
24+
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TO-247
20000
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TO263
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS
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TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
22+23+
TO-247
8000
新到现货,只做原装进口

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