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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXA70I1200NA | XPT IGBT 文件：157.58 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXA70I1200NA | 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | IXYS 艾赛斯 | | |
IXA70I1200NA | XPT™ Planar IGBT | Littelfuse 力特 | |
IXA70I1200NA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXA70I1200NA
- 功能描述
IGBT 模块 XPT Single IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-11-3 22:53:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SOP28 |
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