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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 8.0A RDS(ON)typ 17mΩ @ VGS= -10V

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IWS4805Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IWS4805Z

  • 制造商

    IPD

  • 功能描述

    POWER SUPPLY

更新时间:2026-1-4 13:10:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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