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ITK30A06N1

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Switching Voltage Regulators

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON)= 12.2 mΩ(typ.) (VGS= 10 V) (2) Low leakage current: IDSS= 10 µA (max) (VDS= 60 V) (3) Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 0.2 mA) Applications • Switching Voltage Regulators

TOSHIBA

东芝

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

更新时间:2026-3-2 17:45:00
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