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ITK30A06N1 | IscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：342.96 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
SwitchingVoltageRegulators MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS-H) Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=12.2mΩ(typ.)(VGS=10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=60V) (3)Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.2mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  | | |
N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：926.38 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
IscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：342.96 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2018-12-28
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