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ISP20EP10LM

OpriMOS power-Transistor,-100V

Features *P-channel *Very low on-resistance Rds(on) @ Vgs=4.5 V *Enhancement mode *100 avalanche tested *Logic level *Pb-free lead plating; RoHS compliant *Halogen-free according to IEC61249-2-21

Infineon

英飞凌

ISP20EP10LM

OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V,采用 SOT-223 封装

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-28 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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