型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ISC800P06LM

OptiMOSTM Power Transistor, -60 V

Features • P-Channel • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V • 100 avalanche tested • Logic Level • Enhancement mode • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

Infineon

英飞凌

ISC800P06LM

逻辑级 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性

Infineon

英飞凌

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G800P06LL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

更新时间:2025-12-15 23:01:00
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