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ISC037N12NM6

OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Optimized for high frequency switching and synchronous rectification •

Infineon

英飞凌

ISC037N12NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V,采用 SuperSO8 封装

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-10-1 10:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
DFN5X6
986966
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