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MOSFET 650V, 7A N-CHANNEL

FEATURE • RoHS Compliant • RDS(ON),typ.=1.2 Ω@VGS=10V • Low Gate Charge Minimize Switching Loss • Fast Recovery Body Diode DESCRIPTION The AM07N65 is available in TO220F Package. APPLICATION • Adaptor • Charger • SMPS Standby Power

AITSEMI

创瑞科技

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件:2.17868 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-11-4 16:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
24+
50000
CET/華瑞
23+
TO-263
123203
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CET
24+
TO-263
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CET/華瑞
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TO-263
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原厂代理 终端免费提供样品
CET/華瑞
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INFINEON/英飞凌
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TO-220
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!

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