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位置：首页 > IC中文资料 > IS62WV5128EBLL-45

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS62WV5128EBLL-45BI

512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EBLL

ISSI

矽成半导体

IS62WV5128EBLL-45BLI

512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EBLL

ISSI

矽成半导体

IS62WV5128EBLL-45HLI

512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EBLL

ISSI

矽成半导体

IS62WV5128EBLL-45QLI

512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EBLL

ISSI

矽成半导体

IS62WV5128EBLL-45T2LI

512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EBLL

ISSI

矽成半导体

IS62WV5128EBLL-45TLI

512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EBLL

ISSI

矽成半导体

IS62WV5128EBLL-45BLI-TR

封装/外壳：36-TFBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

IS62WV5128EBLL-45HLI

封装/外壳：32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

IS62WV5128EBLL-45供应商更多...

更新时间：2025-12-10 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR
ISSI(美国芯成)
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深圳市安富世纪电子有限公司
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ISSI, Integrated Silicon Solu
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