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IS46TR16128CL-125KBLA2

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

FEATURES  Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V  Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V  High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz  8 internal banks for concurrent operation  8n-Bit pre-fetch architecture  P

ISSI

矽成半导体

IS46TR16128CL-125KBLA2

封装/外壳:96-TFBGA 包装:散装托盘 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

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知名厂家

更新时间:2025-9-26 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
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TWBGA96(9x13)
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  • IS46TR16256AL-125KBLA2

    4 Gbit FBGA-96 SDRAM - DDR3 动态随机存取存储器 , 2 Gbit SDRAM - DDR2 16 bit 动态随机存取存储器 , FBGA-84 16 bit 动态随机存取存储器 , 4 Gbit SDRAM - DDR3L - 40 C 动态随机存取存储器 , TSOP-54 动态随机存取存储器 , AS4C256M16D4-75 动态随机存取存储器

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  • IS45VM16320D-75BLA2

    LPSDRAM AUTO-MOBILE / 32MX16 MSDRAM / BGA-54 / 133 MHZ / -40°C~+105°C / RoHS / 2.5 V / TRAY

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