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IS46DR81280D

128Mx8, 64Mx16 DDR2 DRAM

FEATURES • Standard Voltage: Vdd and Vddq = 1.8V ±0.1V • Low Voltage (L): Vdd and Vddq = 1.5V ±0.075V • SSTL_18-compatible for Standard Voltage • SSTL_15-compatible for Low Voltage • Double data rate interface: two data transfers per clock cycle • Differential data strobe (DQS, DQS) • 4-bi

ISSI

矽成半导体

IS46DR81280D

DDR2 SDRAM

ISSI

矽成半导体

Differential data strobe

文件:1.5625 Mbytes Page:49 Pages

ISSI

矽成半导体

Clock frequency up to 400MHz

文件:855.01 Kbytes Page:28 Pages

ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-9-30 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
24+
BGA84
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
ISSI Integrated Silicon Solut
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7300
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24+
N/A
595
原装原装原装
ISSI
25+
BGA84
3850
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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    4 Gbit FBGA-96 SDRAM - DDR3 动态随机存取存储器 , 2 Gbit SDRAM - DDR2 16 bit 动态随机存取存储器 , FBGA-84 16 bit 动态随机存取存储器 , 4 Gbit SDRAM - DDR3L - 40 C 动态随机存取存储器 , TSOP-54 动态随机存取存储器 , AS4C256M16D4-75 动态随机存取存储器

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  • IS45VM16320D-75BLA2

    LPSDRAM AUTO-MOBILE / 32MX16 MSDRAM / BGA-54 / 133 MHZ / -40°C~+105°C / RoHS / 2.5 V / TRAY

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