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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
IS46DR16640B-3DBLA1-TR	封装/外壳：84-TFBGA 包装：托盘描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA 集成电路（IC）存储器	ETC 知名厂家	ETC
IS46DR16640B-3DBLA1	1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential	ISSI 北京矽成	ISSI

IS46DR16640B-3DBLA1-TR供应商更多...

更新时间：2025-8-14 9:10:00

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IS45S16320F-7BLA2
IS45S16320F-7BLA2
2023-4-4
IS46LR32160B-6BLA1
IS46LR32160B-6BLA1
2021-6-2
IS45VM16320D-75BLA1
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2021-6-2
IS46TR16256AL-125KBLA2
4 Gbit FBGA-96 SDRAM - DDR3 动态随机存取存储器 , 2 Gbit SDRAM - DDR2 16 bit 动态随机存取存储器 , FBGA-84 16 bit 动态随机存取存储器 , 4 Gbit SDRAM - DDR3L - 40 C 动态随机存取存储器 , TSOP-54 动态随机存取存储器 , AS4C256M16D4-75 动态随机存取存储器
2020-7-9
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2020-7-9
IS45VM16320D-75BLA2
LPSDRAM AUTO-MOBILE / 32MX16 MSDRAM / BGA-54 / 133 MHZ / -40°C~+105°C / RoHS / 2.5 V / TRAY
2019-12-16