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128MX8, 64MX16 1Gb DDR3 SDRAM WITH ECC

FEATURES  Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V  High speed data transfer rates with system frequency up to 800 MHz  8 internal banks for concurrent operation  8n-bit pre-fetch architecture  Programmable CAS Latency  Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2  Programmable

ISSI

矽成半导体

128MX8, 64MX16 1Gb DDR3 SDRAM WITH ECC

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ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-12-14 19:00:00
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